Aktuelles

13.10.2017 - 12:00

5. OCL-TP Workshop

Vom 30. - 31. Oktober findet der 5. Internationale Workshop zwischen dem "Optical Communication Lab" und dem Fachgebiet "Technische Physik", im Rahmen eines langfristigen Kooperationsabkommens zwischen dem Israel Institute of Technology und der Universität Kassel statt.

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11.07.2016 - 12:01

Neues Projekt: Quantengeld und Nanosensoren

Auch für unser neues Projekt "Quantengeld und Nanosensoren" wurde die finanzielle Unterstützung durch die Volkswagen Stiftung genehmigt.

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11.07.2016 - 12:00

Neues Projekt: QD MIXEL

Finanzielle Unterstützung durch die DGF für unser neues Projekt "fs-Pulserzeugung mit MIXSEL (modelocker integrated external cavity surface emitting laser) auf der Basis von Quantenpunkt-Verstärker-und Absorber-Elementen" wurde genehmigt.

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INA - Technische Physik > Forschung > Nano Fabrication & Devices

Nano Fabrication & Devices

Gruppen-Mitglieder

 Gruppenleiter:  Johann Peter Reithmaier
 Doktoranden:  Alireza Abdollahinia, Annette Becker
 Technisches Personal:  Anna Rippien, Florian Schnabel, Kerstin Fuchs





Zielsetzung

Die "Nano Fabrication & Devices"-Gruppe beschäftigt sich mit der Entwicklung neuer Herstellungsprozesse auf der Basis von hochauflösenden Lithographie- (z.B. Elektronenstrahllithographie) und Trockenätzverfahren zur Herstellung von Halbleiternanostrukturen. Diese Verfahren werden eingesetzt für die Herrstellung von optoelektronischen Bauelementen, wie z.B. Halbleiterlaser, Halbleiterverstärker, Optische Schalter, Optoelektronische Integrierte Schaltungen (OEICs), u.a. 

Zudem beschäftigt sich die Gruppe mit der Charakterisierung der hergestellten Strukturen und Bauelemente, wobei insbesondere für die Untersuchung neuartiger Bauelemente spezielle Charakterisierungsverfahren aufgebaut bzw. eingesetzt werden (z.B., Faserbasierender Linienbreitenmessplatz, Hochfequenzmessplatz für Kleinsignalmodulation, Messplatz für Chirp-Messungen, etc.). Zudem greift die Gruppe auf Standardmessplätze zu, mit denen Halbleiterlaser gepulst und im Dauerstrich (cw = continous wave) betrieben werden können.

Projekte

Literatur

Publikationen
  • A. Becker, M. Bjelica, V. Sichkovskyi, A. Rippien, F. Schnabel, P. Baum, B. Witzigmann, J.P. Reithmaier, "InP-based narrow-linewidth widely tunable QD-DFB lasers", VDE-ITG meeting, Leipzig, Germany (May 2015) (pdf-File)

Überblicksvorträge:
  • J. P. Reithmaier, G. Eisenstein, A. DeRossi, S. Combrié, "Power Saving in Communication Applications by Nano-Structured Optoelectronic Components", Technion / TU Berlin Green Photonic Symposium, Berlin (invited, March 2015) (pptx-File, 25 MB)
  • J.P. Reithmaier, "Nanostructured Materials for Optoelectronic Devices: Current Developments and Future Challenges", Int. Symp. on Advances in "Quantum Materials, Quantum Physics and Nanophotonics", Würzburg, Germany (invited, April 2015) (pptx-File, 93 MB)
  • J.P. Reithmaier, S. Banyoudeh, A. Abdollahinia, V. Sichkovskyi, A. Becker, A. Rippien, F. Schnabel, B. Bjelica, B. Witzigmann, O. Eyal, G. Eisenstein, "The impact of low-dimensional gain material on emission linewidth and modulation speed in semiconductor lasers", Conf. on Physics of Quantum Electronics (PQE), Snowbird, Utah, USA (invited talk, January 2016) (pptx-File, 8 MB

Bildergalerie

E-Line
Hochauflösendes Elektronenstrahllithographiegerät (Raith e-line)
ICP-RIE-Etching
ICP-RIE-Trockenätzanlage für III-V-Halbleitermaterialien (Oxford 100)
Nanokavität
Nanokavität positioniert über einen Quantenpunkt (in Kooperation mit Thales)
Optischer Schalter
Optischer Schalter auf der Basis gekoppelter Nanokavitäten (in Kooperation mit Thales)
SEM-Bilder eines DFB-Lasers (top-view + FIB cross cut)
REM-Ansichten eines Stegwellenleiter-Lasers mit lateralen Rückkkopplungsgittern. Der Querschnitt wurde mit einer fokussierten Ionenstrahlanlage (dual-beam FIB) hergestellt.
Laserarray
Monolithisch integrierter Wellenlängen-abstimmbarer ultra-schmalbandiger Laserchip auf der Basis von Quantenpunktmaterial
Emissionsspektren des Laserarrays
Über die Gitterperiode und thermisch abgestimmte Emissionsspektren des Laserarrays
Linienbreite (Leistungsabhängigkeit) eines Quantenpunkt-DFB-Lasers
Abhängigkeit der Linienbreite eines Quantenpunkt-DFB-Lasers vom Betriebsstrom
RWG-QD-Laser mit temperaturstabiler Ausgangskennlinie
Kennlinien eines Stegwellenleiter-Quantenpunkt-Laser bei verschiedenen Wärmesenkentemperaturen (gepulster Betrieb)
CW-Kennlinie eines RWG-QD-Lasers (Inset: HF-Submount mit HF-Probe)
Strom-Spannung und Strom-Lichtleistungskennline eines QD-Stegwellenleiter-Lasers. Das Inset zeigt die Montage des Lasers auf einem Kupferblock mit Anlasskeramik und HF-Prober (Bandbreite: 50 GHz)
Augendiagramm eines RWG-QD-Lasers moduliert mit 25 Bit/s bei verschiedenen Betriebstemperaturen
Augendiagramme eines 338 µm langen QD-Lasers, die bei verschiedenen Betriebstemperaturen und einer Modulationsrate von 25 GBit/s gemessen wurden (Direktmodulation) (Kooperation mit Technion, Israel).
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